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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ34
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLZ34 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLZ34
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ34
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRLZ34.pdf
vorrätig: 3950

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Spezifikation

IRLZ34 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLZ34 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLZ34

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V  
Verlustleistung (max) 88W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLZ34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLZ34.

Produkteigenschaften IRLZ34 IRLZ34NPBF IRLZ24SPBF IRLZ34L
Artikelnummer IRLZ34 IRLZ34NPBF IRLZ24SPBF IRLZ34L
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verlustleistung (max) 88W (Tc) 68W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V 35mOhm @ 16A, 10V 100mOhm @ 10A, 5V 50mOhm @ 18A, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 55 V 60 V 60 V
Serie - HEXFET® - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRLZ34 IRLZ34 IRLZ24 IRLZ34
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-262-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 17A (Tc) 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole

IRLZ34 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLZ34 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLZ34 - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf
Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
Datenblätter
IRLZ34.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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