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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ34L
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRLZ34L - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLZ34L
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ34L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRLZ34S/L.pdf
vorrätig: 5270

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Anzahl

Spezifikation

IRLZ34L Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLZ34L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLZ34L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V  
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLZ34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLZ34L.

Produkteigenschaften IRLZ34L IRLZ34 IRLZ24STRL IRLZ34NPBF
Artikelnummer IRLZ34L IRLZ34 IRLZ24STRL IRLZ34NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 17A (Tc) 30A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - - HEXFET®
Grundproduktnummer IRLZ34 IRLZ34 IRLZ24 IRLZ34
Supplier Device-Gehäuse TO-262-3 TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220AB
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 55 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±16V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 25 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 88W (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) 68W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 5V 50mOhm @ 18A, 5V 100mOhm @ 10A, 5V 35mOhm @ 16A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V

IRLZ34L Datenblatt PDF

Laden Sie IRLZ34L PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRLZ34L - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRLZ34S/L.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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