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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ44NSTRRPBF
IRLZ44NSTRRPBF Image
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IRLZ44NSTRRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLZ44NSTRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ44NSTRRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRLZ44NSTRRPBF.pdf
vorrätig: 4070

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Anzahl

Spezifikation

IRLZ44NSTRRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLZ44NSTRRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLZ44NSTRRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLZ44NSTRRPBF.

Produkteigenschaften IRLZ44NSTRRPBF IRLZ44ZL IRLZ44PBF IRLZ44NSTRLPBF
Artikelnummer IRLZ44NSTRRPBF IRLZ44ZL IRLZ44PBF IRLZ44NSTRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 80W (Tc) 150W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±10V ±16V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 60 V 55 V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 5 V 36 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc) 51A (Tc) 50A (Tc) 47A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 25A, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 28mOhm @ 31A, 5V 22mOhm @ 25A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-262 TO-220AB D2PAK
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA

IRLZ44NSTRRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLZ44NSTRRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLZ44NSTRRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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