IRLZ44STRR Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLZ44STRR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLZ44STRR

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Vishay / Siliconix
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 31A, 5V
Verlustleistung (max)	3.7W (Ta), 150W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	66 nC @ 5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	50A (Tc)
Grundproduktnummer	IRLZ44

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLZ44STRR.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	IRLZ44STRR	IRLZ44ZL	IRLZ44ZLPBF	IRLZ44SPBF
Hersteller	Vishay Siliconix	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Vishay Siliconix
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4V, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	66 nC @ 5 V	36 nC @ 5 V	36 nC @ 5 V	66 nC @ 5 V
Paket	Tape & Reel (TR)	Tube	Tube	Tube
FET-Merkmal	-	-	-	-
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	50A (Tc)	51A (Tc)	51A (Tc)	50A (Tc)
Befestigungsart	Surface Mount	Through Hole	Through Hole	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 31A, 5V	13.5mOhm @ 31A, 10V	13.5mOhm @ 31A, 10V	28mOhm @ 31A, 5V
Verlustleistung (max)	3.7W (Ta), 150W (Tc)	80W (Tc)	80W (Tc)	3.7W (Ta), 150W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263)	TO-262	TO-262	D²PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V	55 V	55 V	60 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3300 pF @ 25 V	1620 pF @ 25 V	1620 pF @ 25 V	3300 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	3V @ 250µA	3V @ 250µA	2V @ 250µA
Serie	-	HEXFET®	HEXFET®	-
Vgs (Max)	±10V	±16V	±16V	±10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer	IRLZ44	-	-	IRLZ44

IRLZ44STRR Datenblatt PDF

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	Italien	5
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Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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