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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLZ44PBF
Vishay Siliconix
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IRLZ44PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRLZ44PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRLZ44PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRLZ44PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25623

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Anzahl

Spezifikation

IRLZ44PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRLZ44PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRLZ44PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 5V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLZ44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRLZ44PBF.

Produkteigenschaften IRLZ44PBF IRLZ44NSPBF IRLZ44S IRLZ44NSTRR
Artikelnummer IRLZ44PBF IRLZ44NSPBF IRLZ44S IRLZ44NSTRR
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IRLZ44 - IRLZ44 -
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V 66 nC @ 5 V 48 nC @ 5 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 47A (Tc) 50A (Tc) 47A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Serie - HEXFET® - HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 55 V 60 V 55 V
Vgs (Max) ±10V ±16V ±10V ±16V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 5V 22mOhm @ 25A, 10V 28mOhm @ 31A, 5V 22mOhm @ 25A, 10V
FET-Merkmal - - - -

IRLZ44PBF Datenblatt PDF

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Andere verwandte Dokumente
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PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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