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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS2003PBF
IRS2003PBF Image
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IRS2003PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2003PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2003PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
IRS2003(S)PbF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25209

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Anzahl

Spezifikation

IRS2003PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2003PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2003PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IRS2003  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2003PBF.

Produkteigenschaften IRS2003PBF IRS2001MPBF IRS2001SPBF IRS2004STRPBF
Artikelnummer IRS2003PBF IRS2001MPBF IRS2001SPBF IRS2004STRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 16-MLPQ (4x4) 8-SOIC 8-SOIC
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 35ns 70ns, 35ns 70ns, 35ns 70ns, 35ns
Ladestrom Independent Independent Independent Synchronous
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300", 7.62mm) 16-VFQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Grundproduktnummer IRS2003 IRS2001 IRS2001 IRS2004
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET

IRS2003PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2003PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2003PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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