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Nordamerika
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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS2003STRPBF
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IRS2003STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2003STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2003STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRS2003(S)PbF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 54310

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Spezifikation

IRS2003STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2003STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2003STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IRS2003  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 2 (1 Year)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2003STRPBF.

Produkteigenschaften IRS2003STRPBF IRS2001PBF IRS2004STRPBF IRS2005MTRPBF
Artikelnummer IRS2003STRPBF IRS2001PBF IRS2004STRPBF IRS2005MTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 35ns 70ns, 35ns 70ns, 35ns 70ns, 30ns
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Ladestrom Independent Independent Synchronous Independent
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 14-VFQFN Exposed Pad
Eingabetyp Inverting, Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Grundproduktnummer IRS2003 IRS2001 IRS2004 IRS2005
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-PDIP 8-SOIC 14-MLPQ (4x4)
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V

IRS2003STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2003STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2003STRPBF - Infineon Technologies herunter.

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HTML -Datenblatt
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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