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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS2005MTRPBF
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IRS2005MTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2005MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2005MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14MLPQ
detaillierte Beschreibung
Verpackung
14-VFQFN Exposed Pad
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
IRS2005(S,M)PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 56960

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Anzahl

Spezifikation

IRS2005MTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2005MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2005MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 14-MLPQ (4x4)  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 30ns  
Verpackung / Gehäuse 14-VFQFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IRS2005  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2005MTRPBF.

Produkteigenschaften IRS2005MTRPBF IRS2011PBF IRS2003STRPBF IRS2004PBF
Artikelnummer IRS2005MTRPBF IRS2011PBF IRS2003STRPBF IRS2004PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRS2005 IRS2011 IRS2003 IRS2004
Eingabetyp Non-Inverting Inverting Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Supplier Device-Gehäuse 14-MLPQ (4x4) 8-PDIP 8-SOIC 8-PDIP
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Ladestrom Independent Independent Independent Synchronous
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 70ns, 30ns 25ns, 15ns 70ns, 35ns 70ns, 35ns
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA 1A, 1A 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Verpackung / Gehäuse 14-VFQFN Exposed Pad 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube

IRS2005MTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2005MTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2005MTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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HTML -Datenblatt
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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