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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMG6402LDM-7
DMG6402LDM-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMG6402LDM-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG6402LDM-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG6402LDM-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
DMG6402LDM.pdf
RoHS Status
vorrätig: 389280

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Spezifikation

DMG6402LDM-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG6402LDM-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG6402LDM-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-26  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.12W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 404 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta)  
Grundproduktnummer DMG6402  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG6402LDM-7.

Produkteigenschaften DMG6402LDM-7 DMG6402LVT-7 DMG564010R DMG5802LFX-7 MOS
Artikelnummer DMG6402LDM-7 DMG6402LVT-7 DMG564010R DMG5802LFX-7 MOS
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Panasonic Electronic Components Diodes Incorporated
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2 nC @ 10 V 11.4 nC @ 10 V - -
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1.12W (Ta) 1.75W (Ta) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta) 6A (Ta) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 404 pF @ 15 V 498 pF @ 15 V - -
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-SMD, Flat Leads -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 7A, 10V 30mOhm @ 7A, 10V - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-26 TSOT-26 SMini6-F3-B -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Grundproduktnummer DMG6402 DMG6402 DMG56401 -

DMG6402LDM-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG6402LDM-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG6402LDM-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 06/Dec/2019.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Leadframe Material Update 09/Apr/2014.pdf Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
Datenblätter
DMG6402LDM.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Diodes Incorporated
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