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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMG6601LVT-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen
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DMG6601LVT-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG6601LVT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG6601LVT-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Verpackung
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt
DMG6601LVT.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 422800

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Spezifikation

DMG6601LVT-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG6601LVT-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG6601LVT-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TSOT-26  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V  
Leistung - max 850mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A, 2.5A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer DMG6601  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG6601LVT-7.

Produkteigenschaften DMG6601LVT-7 DMG6602SVTQ-7 DMG6301UDW-7 DMG6301UDW-13
Artikelnummer DMG6601LVT-7 DMG6602SVTQ-7 DMG6301UDW-7 DMG6301UDW-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 25V 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V 60mOhm @ 3.1A, 10V 4Ohm @ 400mA, 4.5V 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Grundproduktnummer DMG6601 DMG6602 DMG6301 DMG6301
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 850mW 840mW 300mW 300mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.3nC @ 10V 13nC @ 10V 0.36nC @ 4.5V 0.36nC @ 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 2.3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TSOT-26 TSOT-26 SOT-363 SOT-363
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 15V 400pF @ 15V 27.9pF @ 10V 27.9pF @ 10V
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A, 2.5A 3.4A, 2.8A 240mA 240mA

DMG6601LVT-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG6601LVT-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG6601LVT-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019.pdf
Datenblätter
DMG6601LVT.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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