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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN32D4SDW-7
DMN32D4SDW-7 Image
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DMN32D4SDW-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN32D4SDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN32D4SDW-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
DMN32D4SDW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 362750

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Spezifikation

DMN32D4SDW-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN32D4SDW-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN32D4SDW-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 250mA, 10V  
Leistung - max 290mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 650mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN32  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN32D4SDW-7.

Produkteigenschaften DMN32D4SDW-7 DMN32D2LV-7 DMN3401LDW-7 DMN33D8LDW-7
Artikelnummer DMN32D4SDW-7 DMN32D2LV-7 DMN3401LDW-7 DMN33D8LDW-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Leistung - max 290mW 400mW 290mW (Ta) 350mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 10V - 1.2nC @ 10V 1.23nC @ 10V
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.5V @ 100µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 15V 39pF @ 3V 50pF @ 15V 48pF @ 5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 SOT-563 SOT-363 SOT-363
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer DMN32 DMN32 DMN3401 DMN33
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 650mA 400mA 800mA (Ta) 250mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 250mA, 10V 1.2Ohm @ 100mA, 4V 400mOhm @ 590mA, 10V 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)

DMN32D4SDW-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN32D4SDW-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN32D4SDW-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMN32D4SDW.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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