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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN33D8LDW-7
DMN33D8LDW-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN33D8LDW-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN33D8LDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN33D8LDW-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
DMN33D8LDW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 597600

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Anzahl

Spezifikation

DMN33D8LDW-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN33D8LDW-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN33D8LDW-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V  
Leistung - max 350mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 5V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN33  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN33D8LDW-7.

Produkteigenschaften DMN33D8LDW-7 DMN3401LDW-7 DMN32D4SDW-7 DMN32D2LV-7
Artikelnummer DMN33D8LDW-7 DMN3401LDW-7 DMN32D4SDW-7 DMN32D2LV-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.23nC @ 10V 1.2nC @ 10V 1.3nC @ 10V -
Leistung - max 350mW 290mW (Ta) 290mW 400mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer DMN33 DMN3401 DMN32 DMN32
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 48pF @ 5V 50pF @ 15V 50pF @ 15V 39pF @ 3V
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA 1.6V @ 250µA 1.6V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA 800mA (Ta) 650mA 400mA
Serie - - - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 SOT-363 SOT-363 SOT-563
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V 400mOhm @ 590mA, 10V 400mOhm @ 250mA, 10V 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666

DMN33D8LDW-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN33D8LDW-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN33D8LDW-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Datenblätter
DMN33D8LDW.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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Diodes Incorporated
32D-DMN33D8LDW-7

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