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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN4031SSD-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN4031SSD-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN4031SSD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN4031SSD-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMN4031SSD-13.pdf
RoHS Status
vorrätig: 161790

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Spezifikation

DMN4031SSD-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN4031SSD-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN4031SSD-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 1.42W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 945pF @ 20V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN4031  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN4031SSD-13.

Produkteigenschaften DMN4031SSD-13 DMN4034SSD-13 DMN4031SSDQ-13 DMN4026SSDQ-13
Artikelnummer DMN4031SSD-13 DMN4034SSD-13 DMN4031SSDQ-13 DMN4026SSDQ-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Leistung - max 1.42W 1.8W 1.42W 1.3W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 945pF @ 20V 453pF @ 20V 945pF @ 20V 1060pF @ 20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 40V 40V 40V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6nC @ 10V 18nC @ 10V 18.6nC @ 10V 19.1nC @ 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6A, 10V 34mOhm @ 6A, 10V 31mOhm @ 6A, 10V 24mOhm @ 6A, 10V
Grundproduktnummer DMN4031 DMN4034 DMN4031 DMN4026
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.2A 4.8A 5.2A 7A

DMN4031SSD-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN4031SSD-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN4031SSD-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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