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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN4035LQ-7
DMN4035LQ-7 Image
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DMN4035LQ-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN4035LQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN4035LQ-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DMN4035LQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 290460

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Spezifikation

DMN4035LQ-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN4035LQ-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN4035LQ-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 4.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 720mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 574 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta)  
Grundproduktnummer DMN4035  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN4035LQ-7.

Produkteigenschaften DMN4035LQ-7 DMN4036LK3-13 DMN4035L-7 DMN4468LSS-13
Artikelnummer DMN4035LQ-7 DMN4036LK3-13 DMN4035L-7 DMN4468LSS-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 TO-252-3 SOT-23-3 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta) 8.5A (Ta) 4.6A (Ta) 10A (Ta)
Grundproduktnummer DMN4035 DMN4036 DMN4035 DMN4468
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1.95V @ 250µA
Verlustleistung (max) 720mW 2.12W (Ta) 720mW 1.52W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 574 pF @ 20 V 453 pF @ 20 V 574 pF @ 20 V 867 pF @ 10 V
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 18.85 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 4.3A, 10V 36mOhm @ 12A, 10V 42mOhm @ 4.3A, 10V 14mOhm @ 11.6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

DMN4035LQ-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN4035LQ-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN4035LQ-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Datenblätter
DMN4035LQ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-DMN4035LQ-7

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