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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN4034SSS-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN4034SSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN4034SSS-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMN4034SSS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 165300

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Spezifikation

DMN4034SSS-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN4034SSS-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN4034SSS-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 453 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A (Ta)  
Grundproduktnummer DMN4034  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN4034SSS-13.

Produkteigenschaften DMN4034SSS-13 DMN4035LQ-7 DMN4036LK3-13 DMN4040SK3-13
Artikelnummer DMN4034SSS-13 DMN4035LQ-7 DMN4036LK3-13 DMN4040SK3-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.4A (Ta) 4.6A (Ta) 8.5A (Ta) 6A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta) 720mW 2.12W (Ta) 1.71W (Ta)
Grundproduktnummer DMN4034 DMN4035 DMN4036 DMN4040
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 9.2 nC @ 10 V 18.6 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 10V 42mOhm @ 4.3A, 10V 36mOhm @ 12A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO SOT-23-3 TO-252-3 TO-252-3
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie - Automotive, AEC-Q101 - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 453 pF @ 20 V 574 pF @ 20 V 453 pF @ 20 V 945 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

DMN4034SSS-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN4034SSS-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN4034SSS-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Datenblätter
DMN4034SSS.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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