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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP58D0LFB-7
DMP58D0LFB-7 Image
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DMP58D0LFB-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP58D0LFB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP58D0LFB-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-UFDFN
Datenblatt
DMP58D0LFB-7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 288750

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Anzahl

Spezifikation

DMP58D0LFB-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP58D0LFB-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP58D0LFB-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse X1-DFN1006-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 5V  
Verlustleistung (max) 470mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 3-UFDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27 pF @ 25 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180mA (Ta)  
Grundproduktnummer DMP58  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP58D0LFB-7.

Produkteigenschaften DMP58D0LFB-7 DMP45H21DHE-13 DMP56D0UFB-7B DMP6023LFGQ-7
Artikelnummer DMP58D0LFB-7 DMP45H21DHE-13 DMP56D0UFB-7B DMP6023LFGQ-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Grundproduktnummer DMP58 DMP45 DMP56 DMP6023
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V 10V 2.5V, 4V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27 pF @ 25 V 1003 pF @ 25 V 50.54 pF @ 25 V 2569 pF @ 30 V
Verlustleistung (max) 470mW (Ta) 12.5W (Tc) 425mW (Ta) 1W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±8V ±20V
Verpackung / Gehäuse 3-UFDFN TO-261-4, TO-261AA 3-UFDFN 8-PowerVDFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Supplier Device-Gehäuse X1-DFN1006-3 SOT-223-3 X1-DFN1006-3 POWERDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180mA (Ta) 600mA (Tc) 200mA (Ta) 7.7A (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 5V 21Ohm @ 300mA, 10V 6Ohm @ 100mA, 4V 25mOhm @ 5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V 450 V 50 V 60 V

DMP58D0LFB-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMP58D0LFB-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP58D0LFB-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018.pdf
PCN -Design/Spezifikation
DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 17/Feb/2022.pdf
PCN Andere
Subs 2-17-2023.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-DMP58D0LFB-7

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