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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMP58D0LFB-7B
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DMP58D0LFB-7B - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMP58D0LFB-7B
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMP58D0LFB-7B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
3-UFDFN
Datenblatt
DMP58D0LFB.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 5000

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Anzahl

Spezifikation

DMP58D0LFB-7B Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMP58D0LFB-7B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMP58D0LFB-7B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 3-X1DFN1006  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 100mA, 5V  
Verlustleistung (max) 470mW (Ta)  
Verpackung Original-Reel®  
Verpackung / Gehäuse 3-UFDFN  
Andere Namen DMP58D0LFB-7BDIDKR  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 25V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
detaillierte Beschreibung P-Channel 50V 180mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMP58D0LFB-7B.

Produkteigenschaften DMP58D0LFB-7B DMP6023LFGQ-7 DMP56D0UFB-7 DMP6023LFGQ-13
Artikelnummer DMP58D0LFB-7B DMP6023LFGQ-7 DMP56D0UFB-7 DMP6023LFGQ-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 25V 2569 pF @ 30 V 50.54 pF @ 25 V 2569 pF @ 30 V
Verpackung / Gehäuse 3-UFDFN 8-PowerVDFN 3-UFDFN 8-PowerVDFN
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V 4.5V, 10V 2.5V, 4V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 3V @ 250µA 1.2V @ 250µA 3V @ 250µA
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 60 V 50 V 60 V
Verlustleistung (max) 470mW (Ta) 1W (Ta) 425mW (Ta) 1W (Ta)
Serie - Automotive, AEC-Q101 - Automotive, AEC-Q101
detaillierte Beschreibung P-Channel 50V 180mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006 - - -
Verpackung Original-Reel® - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Andere Namen DMP58D0LFB-7BDIDKR - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180mA (Ta) 7.7A (Ta) 200mA (Ta) 7.7A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 3-X1DFN1006 POWERDI3333-8 X1-DFN1006-3 POWERDI3333-8
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 100mA, 5V 25mOhm @ 5A, 10V 6Ohm @ 100mA, 4V 25mOhm @ 5A, 10V
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -

DMP58D0LFB-7B Datenblatt PDF

Laden Sie DMP58D0LFB-7B PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMP58D0LFB-7B - Diodes Incorporated herunter.

Datenblätte
DMP58D0LFB.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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