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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelDZT5401-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DZT5401-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DZT5401-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DZT5401-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 150V 0.6A SOT223-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
DZT5401.pdf
RoHS Status
vorrätig: 309740

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Anzahl

Spezifikation

DZT5401-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DZT5401-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DZT5401-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA  
Grundproduktnummer DZT5401  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DZT5401-13.

Produkteigenschaften DZT5401-13 DZT591C-13 DZT2907A-13 DZT491-13
Artikelnummer DZT5401-13 DZT591C-13 DZT2907A-13 DZT491-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 60 @ 10mA, 5V 100 @ 500mA, 5V 100 @ 150mA, 10V 100 @ 500mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 100nA 10nA (ICBO) 100nA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 600 mA 1 A 600 mA 1 A
Transistor-Typ PNP PNP PNP NPN
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 600mV @ 100mA, 1A 1.6V @ 50mA, 500mA 500mV @ 100mA, 1A
Grundproduktnummer DZT5401 DZT591 DZT2907 DZT491
Leistung - max 1 W 1 W 1 W 1 W
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V 60 V 60 V 60 V
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 300MHz 150MHz 200MHz 150MHz

DZT5401-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DZT5401-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DZT5401-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DZT5401.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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