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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFZT655TA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FZT655TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
FZT655TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-FZT655TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 150V 1A SOT223-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
FZT655.pdf
RoHS Status
vorrätig: 118000

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Anzahl

Spezifikation

FZT655TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - FZT655TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - FZT655TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 1A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 30MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 500mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer FZT655  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated FZT655TA.

Produkteigenschaften FZT655TA FZT657TA FZT651TC FZT653QTA
Artikelnummer FZT655TA FZT657TA FZT651TC FZT653QTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 500mA, 5V 50 @ 100mA, 5V 100 @ 500mA, 2V 100 @ 500mA, 2V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 2 W 2 W 2 W 1.2 W
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 1A 500mV @ 10mA, 100mA 600mV @ 300mA, 3A 500mV @ 200mA, 2A
Grundproduktnummer FZT655 FZT657 FZT651 -
Frequenz - Übergang 30MHz 30MHz 175MHz 175MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 500 mA 3 A 2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 150 V 300 V 60 V 100 V

FZT655TA Datenblatt PDF

Laden Sie FZT655TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für FZT655TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf Die Layover Addition 19/Aug/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Rev 21/Apr/2017.pdf
Datenblätter
FZT655.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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