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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFZT653TC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FZT653TC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
FZT653TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-FZT653TC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 100V 2A SOT223-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
FZT653.pdf
RoHS Status
vorrätig: 128420

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Anzahl

Spezifikation

FZT653TC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - FZT653TC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - FZT653TC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 175MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer FZT653  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated FZT653TC.

Produkteigenschaften FZT653TC FZT657TA FZT653TA FZT655TA
Artikelnummer FZT653TC FZT657TA FZT653TA FZT655TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 500 mA 2 A 1 A
Frequenz - Übergang 175MHz 30MHz 175MHz 30MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 2V 50 @ 100mA, 5V 100 @ 500mA, 2V 50 @ 500mA, 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Leistung - max 2 W 2 W 2 W 2 W
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 300 V 100 V 150 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Grundproduktnummer FZT653 FZT657 FZT653 FZT655
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 10mA, 100mA 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 1A
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Serie - - - -

FZT653TC Datenblatt PDF

Laden Sie FZT653TC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für FZT653TC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf Die Layover Addition 19/Aug/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Rev 21/Apr/2017.pdf
Datenblätter
FZT653.pdf

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Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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