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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelFZT657TA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FZT657TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
FZT657TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-FZT657TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
FZT657.pdf
RoHS Status
vorrätig: 85100

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Anzahl

Spezifikation

FZT657TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - FZT657TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - FZT657TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 300 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 30MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 100mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer FZT657  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated FZT657TA.

Produkteigenschaften FZT657TA FZT655TA FZT688BTC FZT688BTA
Artikelnummer FZT657TA FZT655TA FZT688BTC FZT688BTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 100mA, 5V 50 @ 500mA, 5V 400 @ 3A, 2V 400 @ 3A, 2V
Frequenz - Übergang 30MHz 30MHz 150MHz 150MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 300 V 150 V 12 V 12 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3 SOT-223-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 500mV @ 200mA, 1A 400mV @ 50mA, 4A 400mV @ 50mA, 4A
Leistung - max 2 W 2 W 2 W 2 W
Grundproduktnummer FZT657 FZT655 FZT688 FZT688
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 1 A 4 A 4 A
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FZT657TA Datenblatt PDF

Laden Sie FZT657TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für FZT657TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Rev 21/Apr/2017.pdf
Datenblätter
FZT657.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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