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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMC4559DN8TC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMC4559DN8TC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMC4559DN8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMC4559DN8TC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMC4559DN8TA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4590

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Spezifikation

ZXMC4559DN8TC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMC4559DN8TC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMC4559DN8TC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V  
Leistung - max 2.1W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A, 2.6A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer ZXMC4559  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TC.

Produkteigenschaften ZXMC4559DN8TC ZXMC6A09DN8TA ZXMC4A16DN8TC ZXMC3AMCTA
Artikelnummer ZXMC4559DN8TC ZXMC6A09DN8TA ZXMC4A16DN8TC ZXMC3AMCTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 40V 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer ZXMC4559 ZXMC6A09 ZXMC4A16 ZXMC3
Leistung - max 2.1W 1.8W 2.1W 1.7W
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO DFN3020B-8
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-WDFN Exposed Pad
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V 1407pF @ 40V 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V 190pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V 45mOhm @ 8.2A, 10V 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A, 2.6A 3.9A, 3.7A 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) 2.9A, 2.1A
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V 24.2nC @ 10V 17nC @ 10V 3.9nC @ 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250mA (Min) 3V @ 250µA
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel Complementary N and P-Channel

ZXMC4559DN8TC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMC4559DN8TC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMC4559DN8TC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMC4559DN8TA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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