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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMC3AMCTA
ZXMC3AMCTA Image
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ZXMC3AMCTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMC3AMCTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMC3AMCTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-WDFN Exposed Pad
Datenblatt
ZXMC3AMC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 69170

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Anzahl

Spezifikation

ZXMC3AMCTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMC3AMCTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMC3AMCTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DFN3020B-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V  
Leistung - max 1.7W  
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A, 2.1A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer ZXMC3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMC3AMCTA.

Produkteigenschaften ZXMC3AMCTA ZXMC4559DN8TC ZXMC3A17DN8TA ZXMC4A16DN8TA
Artikelnummer ZXMC3AMCTA ZXMC4559DN8TC ZXMC3A17DN8TA ZXMC4A16DN8TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel Complementary
Leistung - max 1.7W 2.1W 1.25W 2.1W
Grundproduktnummer ZXMC3 ZXMC4559 ZXMC3 ZXMC4A16
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250mA (Min)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V 1063pF @ 30V 600pF @ 25V 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A, 2.1A 3.6A, 2.6A 4.1A, 3.4A 5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V 55mOhm @ 4.5A, 10V 50mOhm @ 7.8A, 10V 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 60V 30V 40V
Verpackung / Gehäuse 8-WDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DFN3020B-8 8-SO 8-SO 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V 20.4nC @ 10V 12.2nC @ 10V 17nC @ 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

ZXMC3AMCTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMC3AMCTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMC3AMCTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMC3AMC.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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