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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMC3AM832TA
Diodes Incorporated
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ZXMC3AM832TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMC3AM832TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMC3AM832TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
ZXMC3AM832.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5150

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Anzahl

Spezifikation

ZXMC3AM832TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMC3AM832TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMC3AM832TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3x2)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V  
Leistung - max 1.7W  
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A, 2.1A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer ZXMC3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA.

Produkteigenschaften ZXMC3AM832TA ZXMC4A16DN8TA ZXMC3A16DN8TA ZXMC3AMCTA
Artikelnummer ZXMC3AM832TA ZXMC4A16DN8TA ZXMC3A16DN8TA ZXMC3AMCTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer ZXMC3 ZXMC4A16 ZXMC3 ZXMC3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V 796pF @ 25V 190pF @ 25V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.9A, 2.1A 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) 4.9A, 4.1A 2.9A, 2.1A
Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (3x2) 8-SO 8-SO DFN3020B-8
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-WDFN Exposed Pad
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 40V 30V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V 35mOhm @ 9A, 10V 120mOhm @ 2.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250mA (Min) 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V 17nC @ 10V 17.5nC @ 10V 3.9nC @ 10V
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel Complementary N and P-Channel N and P-Channel
Leistung - max 1.7W 2.1W 1.25W 1.7W
Serie - - - -

ZXMC3AM832TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMC3AM832TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMC3AM832TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010.pdf
Datenblätter
ZXMC3AM832.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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