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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMN2A01FTA
ZXMN2A01FTA Image
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ZXMN2A01FTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN2A01FTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN2A01FTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
ZXMN2A01F.pdf
RoHS Status
vorrätig: 291330

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN2A01FTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN2A01FTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN2A01FTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 625mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 303 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A (Ta)  
Grundproduktnummer ZXMN2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN2A01FTA.

Produkteigenschaften ZXMN2A01FTA ZXMN2069FTA ZXMN2A01E6TA ZXMN2A02X8TA
Artikelnummer ZXMN2A01FTA ZXMN2069FTA ZXMN2A01E6TA ZXMN2A02X8TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V - 20 V 20 V
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V - 3 nC @ 4.5 V 18.6 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-6 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-6 8-MSOP
Verlustleistung (max) 625mW (Ta) - 1.1W (Ta) 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.9A (Ta) 1.4A (Ta) 2.5A (Ta) 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 4.5V - 120mOhm @ 4A, 4.5V 20mOhm @ 11A, 4.5V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) - 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±12V - ±12V ±20V
Grundproduktnummer ZXMN2 - ZXMN2 -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 303 pF @ 15 V - 303 pF @ 15 V 1900 pF @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

ZXMN2A01FTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN2A01FTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN2A01FTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMN2A01F.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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