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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelZXMN2A03E6TA
ZXMN2A03E6TA Image
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ZXMN2A03E6TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN2A03E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN2A03E6TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
ZXMN2A03E6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 128350

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN2A03E6TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN2A03E6TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN2A03E6TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 7.2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 837 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta)  
Grundproduktnummer ZXMN2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN2A03E6TA.

Produkteigenschaften ZXMN2A03E6TA ZXMN2A02N8TA ZXMN2AM832TA ZXMN2A01FTA
Artikelnummer ZXMN2A03E6TA ZXMN2A02N8TA ZXMN2AM832TA ZXMN2A01FTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V - 2.5V, 4.5V
Verlustleistung (max) 1.1W (Ta) 1.56W (Ta) - 625mW (Ta)
Serie - - * -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 837 pF @ 10 V 1900 pF @ 10 V - 303 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-6 8-SO - SOT-23-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.7A (Ta) 8.3A (Ta) - 1.9A (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 7.2A, 4.5V 20mOhm @ 11A, 4.5V - 120mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V 18.9 nC @ 4.5 V - 3 nC @ 4.5 V
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V - 20 V
Grundproduktnummer ZXMN2 ZXMN2 - ZXMN2
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) - 700mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±12V ±12V - ±12V

ZXMN2A03E6TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN2A03E6TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN2A03E6TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Leadframe Material Update 09/Apr/2014.pdf Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMN2A03E6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-ZXMN2A03E6TA

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