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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMN2A04DN8TC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMN2A04DN8TC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMN2A04DN8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMN2A04DN8TC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMN2A04DN8.pdf
vorrätig: 3820

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Anzahl

Spezifikation

ZXMN2A04DN8TC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMN2A04DN8TC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMN2A04DN8TC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.9A, 4.5V  
Leistung - max 1.8W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.1nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.9A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer ZXMN2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC.

Produkteigenschaften ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2B03E6TA MOS ZXMN2A02N8TA
Artikelnummer ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2B03E6TA MOS ZXMN2A02N8TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) - 700mV @ 250µA (Min)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 10V 1880pF @ 10V - 1900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.1nC @ 5V 22.1nC @ 5V - 18.9 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.9A, 4.5V 25mOhm @ 5.9A, 4.5V - 20mOhm @ 11A, 4.5V
Leistung - max 1.8W 1.8W - -
Grundproduktnummer ZXMN2 ZXMN2 - ZXMN2
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.9A 5.9A - 8.3A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO - 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V - 20 V

ZXMN2A04DN8TC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMN2A04DN8TC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMN2A04DN8TC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXMN2A04DN8.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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