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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH110N65F-F155
Fairchild Semiconductor
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

FCH110N65F-F155 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FCH110N65F-F155
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FCH110N65F-F155
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH110N65F-F155.pdf
vorrätig: 7813

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Spezifikation

FCH110N65F-F155 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FCH110N65F-F155 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FCH110N65F-F155

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 3.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3  
Serie FRFET®, SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 17.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 357W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4895 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FCH110N65F-F155.

Produkteigenschaften FCH110N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH130N60 FCH125N60E
Artikelnummer FCH110N65F-F155 FCH150N65F-F155 FCH130N60 FCH125N60E
Hersteller Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4895 pF @ 100 V 3737 pF @ 100 V 3590 pF @ 380 V 2990 pF @ 380 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 3.5mA 5V @ 2.4mA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Serie FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Verlustleistung (max) 357W (Tc) 298W (Tc) 278W (Tc) 278W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Bulk Bulk Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 17.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V 130mOhm @ 14A, 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247-3 TO-247 Long Leads TO-247-3 TO-247
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 600 V 600 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 24A (Tc) 28A (Tc) 29A (Tc)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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