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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH150N65F-F155
Fairchild Semiconductor
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FCH150N65F-F155 - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FCH150N65F-F155
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FCH150N65F-F155
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH150N65F-F155.pdf
vorrätig: 4690

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Spezifikation

FCH150N65F-F155 Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FCH150N65F-F155 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FCH150N65F-F155

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Long Leads  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 298W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3737 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer FCH150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FCH150N65F-F155.

Produkteigenschaften FCH150N65F-F155 FCH125N60E FCH110N65F-F155 FCH125N60E
Artikelnummer FCH150N65F-F155 FCH125N60E FCH110N65F-F155 FCH125N60E
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3737 pF @ 100 V 2990 pF @ 380 V 4895 pF @ 100 V 2990 pF @ 380 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 650 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA 3.5V @ 250µA 5V @ 3.5mA 3.5V @ 250µA
Serie SuperFET® II SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 110mOhm @ 17.5A, 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 Long Leads TO-247-3 TO-247-3 TO-247
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 29A (Tc) 35A (Tc) 29A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 298W (Tc) 278W (Tc) 357W (Tc) 278W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer FCH150 FCH125 FCH110 -
Paket Bulk Tube Tube Bulk

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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