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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelFCH125N60E
Fairchild Semiconductor
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FCH125N60E - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
FCH125N60E
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-FCH125N60E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
FCH125N60E.pdf
vorrätig: 4370

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Spezifikation

FCH125N60E Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - FCH125N60E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - FCH125N60E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247  
Serie SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 278W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 380 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor FCH125N60E.

Produkteigenschaften FCH125N60E FCH165N65S3R0-F155 FCH110N65F-F155 FCH150N65F-F155
Artikelnummer FCH125N60E FCH165N65S3R0-F155 FCH110N65F-F155 FCH150N65F-F155
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Verlustleistung (max) 278W (Tc) 154W (Tc) 357W (Tc) 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 14.5A, 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 110mOhm @ 17.5A, 10V 150mOhm @ 12A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 650 V 650 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 4.5V @ 1.9mA 5V @ 3.5mA 5V @ 2.4mA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 29A (Tc) 19A (Tc) 35A (Tc) 24A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 TO-247-3 TO-247-3 TO-247 Long Leads
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2990 pF @ 380 V 1500 pF @ 400 V 4895 pF @ 100 V 3737 pF @ 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie SuperFET® II SuperFET® III FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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