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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDS8434A
Fairchild Semiconductor
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NDS8434A - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
NDS8434A
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-NDS8434A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 7.8A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NDS8434A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5130

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Anzahl

Spezifikation

NDS8434A Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - NDS8434A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - NDS8434A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.9A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.8A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor NDS8434A.

Produkteigenschaften NDS8434A NDS8435 NDS8434 NDS8435A
Artikelnummer NDS8434A NDS8435 NDS8434 NDS8435A
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.8A (Ta) 7A (Ta) 6.5A (Ta) 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.9A, 4.5V 28mOhm @ 7A, 10V 35mOhm @ 6.5A, 4.5V 23mOhm @ 7.9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±8V - ±8V ±20V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 10 V 1500 pF @ 15 V 2330 pF @ 10 V 1800 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V 60 nC @ 10 V 80 nC @ 4.5 V 67 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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