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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNDS8435A
Fairchild Semiconductor
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NDS8435A - Fairchild Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
NDS8435A
Hersteller
Fairchild (onsemi)
Allelco Artikelnummer
32D-NDS8435A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
NDS8435A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 47620

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Anzahl

Spezifikation

NDS8435A Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - NDS8435A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - NDS8435A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Fairchild (onsemi)  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.9A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Fairchild Semiconductor NDS8435A.

Produkteigenschaften NDS8435A NDS8435 NDS8434A NDS8434
Artikelnummer NDS8435A NDS8435 NDS8434A NDS8434
Hersteller Fairchild Semiconductor onsemi onsemi onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V 1500 pF @ 15 V 1730 pF @ 10 V 2330 pF @ 10 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 20 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.9A (Ta) 7A (Ta) 7.8A (Ta) 6.5A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 55 nC @ 4.5 V 80 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Vgs (Max) ±20V - ±8V ±8V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.9A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 24mOhm @ 7.9A, 4.5V 35mOhm @ 6.5A, 4.5V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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