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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedPDTC123TT,215
NXP USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PDTC123TT,215 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PDTC123TT,215
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PDTC123TT,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
NOW NEXPERIA PDTC123TT - SMALL S
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PDTC123TT,215.pdf
vorrätig: 2296900

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Anzahl

Spezifikation

PDTC123TT,215 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PDTC123TT,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PDTC123TT,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 250 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Bulk  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 20mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer PDTC123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PDTC123TT,215.

Produkteigenschaften PDTC123TT,215 PDTC123TU115 PDTC123JU PDTC123TU115
Artikelnummer PDTC123TT,215 PDTC123TU115 PDTC123JU PDTC123TU115
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP Semiconductors
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 20mA, 5V - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA - - -
Serie - * * *
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 - - -
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Befestigungsart Surface Mount - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA - - -
Leistung - max 250 mW - - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V - - -
Grundproduktnummer PDTC123 PDTC123 PDTC123 PDTC123
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms - - -

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Lieferzeit

STACK-Artikel können innerhalb von 24 Stunden versendet werden.Einige Teile werden innerhalb von 1-2 Tagen ab dem Datum angeordnet, an dem alle Artikel in unserem Lagerhaus eintreffen.Und Allelco -Schiffe bestellen einmal am Tag gegen 17:00 Uhr, außer am Sonntag.Sobald die Ware versendet werden, hängt die geschätzte Lieferzeit von den Versandmethoden und dem Lieferziel ab.Die folgende Tabelle zeigt die logistische Zeit für einige Gemeinsame Länder.

Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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NXP USA Inc.

PDTC123TT,215

NXP USA Inc.
32D-PDTC123TT,215

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