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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedPDTC123TT,215
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PDTC123TT,215 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PDTC123TT,215
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PDTC123TT,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PDTC123TU115 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1033100

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Anzahl

Spezifikation

PDTC123TT,215 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PDTC123TT,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PDTC123TT,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB  
Serie -  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 250 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 20mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer PDTC123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PDTC123TT,215.

Produkteigenschaften PDTC123TT,215 PDTC123YE,115 PDTC123TU115 PDTC123TT,215
Artikelnummer PDTC123TT,215 PDTC123YE,115 PDTC123TU115 PDTC123TT,215
Hersteller Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors / Freescale NXP Semiconductors NXP USA Inc.
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms - 2.2 kOhms
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 20mA, 5V 35 @ 5mA, 5V - 30 @ 20mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100mA - 100 mA
Serie - - * -
Paket Tape & Reel (TR) - Bulk Bulk
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50V - 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA 1µA - 1µA
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 10mA - 150mV @ 500µA, 10mA
Leistung - max 250 mW 150mW - 250 mW
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased - NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB SC-75 - SOT-23
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Grundproduktnummer PDTC123 - PDTC123 PDTC123

PDTC123TT,215 Datenblatt PDF

Laden Sie PDTC123TT,215 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PDTC123TT,215 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Datenblätter
PDTC123TU115 Datasheet.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Multiple Parts 01/Apr/2022.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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PDTC123TT,215

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