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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedPDTC123YE,115
PDTC123YE,115 Image
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PDTC123YE,115 - NXP Semiconductors / Freescale

Hersteller Artikelnummer
PDTC123YE,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PDTC123YE,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-75, SOT-416
Datenblatt
PDTC123Y Series.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 5230

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Spezifikation

PDTC123YE,115 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors / Freescale - PDTC123YE,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors / Freescale - PDTC123YE,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SC-75  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms  
Leistung - max 150mW  
Verpackung Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416  
Andere Namen 934058807115
PDTC123YE T/R
PDTC123YE T/R-ND
 
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Basisteilenummer PDTC123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors / Freescale PDTC123YE,115.

Produkteigenschaften PDTC123YE,115 PDTC123TT,215 PDTC123TT,215 PDTC123YT,215
Artikelnummer PDTC123YE,115 PDTC123TT,215 PDTC123TT,215 PDTC123YT,215
Hersteller NXP Semiconductors / Freescale NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 5V 30 @ 20mA, 5V 30 @ 20mA, 5V 35 @ 5mA, 5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100 mA 100 mA 100 mA
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Serie - - - Automotive, AEC-Q100
Andere Namen 934058807115
PDTC123YE T/R
PDTC123YE T/R-ND
- - -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75 - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms - - 10 kOhms
Supplier Device-Gehäuse SC-75 SOT-23 TO-236AB TO-236AB
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50 V 50 V 50 V
Verpackung Tape & Reel (TR) - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA 1µA 1µA 1µA
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms 2.2 kOhms
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Basisteilenummer PDTC123 - - -
Leistung - max 150mW 250 mW 250 mW 250 mW
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 10mA 150mV @ 500µA, 10mA
Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PDTC123YE,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PDTC123YE,115 PDF -Datenblätter und NXP Semiconductors / Freescale -Dokumentation für PDTC123YE,115 - NXP Semiconductors / Freescale herunter.

Datenblätte
PDTC123Y Series.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NXP Semiconductors / Freescale
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