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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMV33UPE,215
NXP Semiconductors
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PMV33UPE,215 - NXP Semiconductors

Hersteller Artikelnummer
PMV33UPE,215
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMV33UPE,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
PMV33UPE - 20 V, SINGLE P-CHANNE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PMV33UPE,215.pdf
vorrätig: 4340

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Spezifikation

PMV33UPE,215 Tech -Spezifikationen
NXP Semiconductors - PMV33UPE,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP Semiconductors - PMV33UPE,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 3A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 490mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.1 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP Semiconductors PMV33UPE,215.

Produkteigenschaften PMV33UPE,215 PMV31XN,215 PMV37EN,215 PMV33UPE,215
Artikelnummer PMV33UPE,215 PMV31XN,215 PMV37EN,215 PMV33UPE,215
Hersteller NXP Semiconductors NXP USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 3A, 4.5V 37mOhm @ 1.5A, 4.5V 36mOhm @ 3.1A, 10V 36mOhm @ 3A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Ta) 5.9A (Tc) 3.1A (Ta) 4.4A (Ta)
Verlustleistung (max) 490mW (Ta) 280mW (Tj) 380mW (Ta) 490mW (Ta)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - TrenchMOS™ - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.1 nC @ 4.5 V 5.8 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 22.1 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 10 V 410 pF @ 20 V 330 pF @ 10 V 1820 pF @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 1.5V @ 1mA 2.5V @ 250µA 950mV @ 250µA
Vgs (Max) ±8V ±12V ±20V ±8V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 30 V 20 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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