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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMV35EPER
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMV35EPER - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMV35EPER
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMV35EPER
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PMV35EPE.pdf
RoHS Status
vorrätig: 159750

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Anzahl

Spezifikation

PMV35EPER Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PMV35EPER Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PMV35EPER

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 480mW (Ta), 1.2W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 793 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta)  
Grundproduktnummer PMV35  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PMV35EPER.

Produkteigenschaften PMV35EPER PMV33UPE,215 PMV32UP,215 PMV40UN,215
Artikelnummer PMV35EPER PMV33UPE,215 PMV32UP,215 PMV40UN,215
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc.
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19.2 nC @ 10 V 22.1 nC @ 4.5 V 15.5 nC @ 4.5 V 9.3 nC @ 4.5 V
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Serie - - - TrenchMOS™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB TO-236AB TO-236AB SOT-23 (TO-236AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 10V 36mOhm @ 3A, 4.5V 36mOhm @ 2.4A, 4.5V 47mOhm @ 2A, 4.5V
Grundproduktnummer PMV35 PMV33 PMV32 PMV4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A (Ta) 4.4A (Ta) 4A (Ta) 4.9A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 793 pF @ 15 V 1820 pF @ 10 V 1890 pF @ 10 V 445 pF @ 30 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 20 V 20 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA 700mV @ 1mA (Typ)
Vgs (Max) ±20V ±8V ±8V ±8V
Verlustleistung (max) 480mW (Ta), 1.2W (Tc) 490mW (Ta) 510mW (Ta) 1.9W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

PMV35EPER Datenblatt PDF

Laden Sie PMV35EPER PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PMV35EPER - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Datenblätter
PMV35EPE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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