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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMV37EN,215
PMV37EN,215 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMV37EN,215 - NXP USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMV37EN,215
Hersteller
NXP Semiconductors
Allelco Artikelnummer
32D-PMV37EN,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PMV37EN,215.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4530

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Anzahl

Spezifikation

PMV37EN,215 Tech -Spezifikationen
NXP USA Inc. - PMV37EN,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie NXP USA Inc. - PMV37EN,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller NXP Semiconductors  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 (TO-236AB)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 3.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 380mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Ta)  
Grundproduktnummer PMV3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie NXP USA Inc. PMV37EN,215.

Produkteigenschaften PMV37EN,215 PMV37EN2R PMV33UPE,215 PMV33UPE,215
Artikelnummer PMV37EN,215 PMV37EN2R PMV33UPE,215 PMV33UPE,215
Hersteller NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 950mV @ 250µA 950mV @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB TO-236AB SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 3.1A, 10V 36mOhm @ 4.5A, 10V 36mOhm @ 3A, 4.5V 36mOhm @ 3A, 4.5V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Ta) 4.5A (Ta) 4.4A (Ta) 4.4A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V 209 pF @ 15 V 1820 pF @ 10 V 1820 pF @ 10 V
Grundproduktnummer PMV3 PMV37 PMV33 -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 6.3 nC @ 10 V 22.1 nC @ 4.5 V 22.1 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 380mW (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) 490mW (Ta) 490mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 20 V

PMV37EN,215 Datenblatt PDF

Laden Sie PMV37EN,215 PDF -Datenblätter und NXP USA Inc. -Dokumentation für PMV37EN,215 - NXP USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Umweltinformationen
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-PMV37EN,215

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