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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelHGT1S20N60C3R
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HGT1S20N60C3R - Harris Corporation

Hersteller Artikelnummer
HGT1S20N60C3R
Hersteller
Harris Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HGT1S20N60C3R
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
HGT1S20N60C3R.pdf
vorrätig: 24693

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Spezifikation

HGT1S20N60C3R Tech -Spezifikationen
Harris Corporation - HGT1S20N60C3R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation - HGT1S20N60C3R

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Harris Corporation  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A  
Testbedingung -  
Td (ein / aus) bei 25 ° C -  
Schaltenergie -  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie -  
Leistung - max 164 W  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 116 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 80 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 40 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Harris Corporation HGT1S20N60C3R.

Produkteigenschaften HGT1S20N60C3R HGT1S2N120CN HGT1S3N60A4DS9A HGT1S3N60A4DS9A
Artikelnummer HGT1S20N60C3R HGT1S2N120CN HGT1S3N60A4DS9A HGT1S3N60A4DS9A
Hersteller Harris Corporation onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Strom - Collector Pulsed (Icm) 80 A 20 A 40 A 40 A
Testbedingung - 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V 390V, 3A, 50Ohm, 15V 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 40 A 13 A 17 A 17 A
Leistung - max 164 W 104 W 70 W 70 W
Paket Bulk Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Td (ein / aus) bei 25 ° C - 25ns/205ns 6ns/73ns 6ns/73ns
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A 2.4V @ 15V, 2.6A 2.7V @ 15V, 3A 2.7V @ 15V, 3A
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
IGBT-Typ - NPT - -
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) TO-262 D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 1200 V 600 V 600 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Schaltenergie - 96µJ (on), 355µJ (off) 37µJ (on), 25µJ (off) 37µJ (on), 25µJ (off)
Gate-Ladung 116 nC 30 nC 21 nC 21 nC
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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