Spezifikation
HGT1S2N120CN Tech -Spezifikationen
Fairchild Semiconductor - HGT1S2N120CN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Fairchild Semiconductor - HGT1S2N120CN
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Fairchild (onsemi) |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
1200 V |
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| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2.4V @ 15V, 2.6A |
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| Testbedingung |
960V, 2.6A, 51Ohm, 15V |
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| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
25ns/205ns |
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| Schaltenergie |
96µJ (on), 355µJ (off) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-262 |
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| Serie |
- |
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| Leistung - max |
104 W |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Verpackung / Gehäuse |
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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| Paket |
Tube |
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Through Hole |
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| Eingabetyp |
Standard |
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| IGBT-Typ |
NPT |
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| Gate-Ladung |
30 nC |
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| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
20 A |
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| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
13 A |
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Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
- Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)
HGT1S2N120CNonsemiIGBT 1200V 13A 104W I2PAK