Spezifikation
HGT1S2N120CN Tech -Spezifikationen
onsemi - HGT1S2N120CN Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - HGT1S2N120CN
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
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| Hersteller |
onsemi |
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| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) |
1200 V |
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| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic |
2.4V @ 15V, 2.6A |
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| Testbedingung |
960V, 2.6A, 51Ohm, 15V |
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| Td (ein / aus) bei 25 ° C |
25ns/205ns |
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| Schaltenergie |
96µJ (on), 355µJ (off) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-262 |
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| Serie |
- |
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| Leistung - max |
104 W |
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| Verpackung / Gehäuse |
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Paket |
Tube |
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Through Hole |
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| Eingabetyp |
Standard |
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| IGBT-Typ |
NPT |
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| Gate-Ladung |
30 nC |
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| Strom - Collector Pulsed (Icm) |
20 A |
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| Strom - Kollektor (Ic) (max) |
13 A |
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| Grundproduktnummer |
HGT1S2N120 |
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Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)
HGT1S20N60A4S9AonsemiIGBT 600V 70A 290W TO263AB