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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP470
IRFP470 Image
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IRFP470 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IRFP470
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP470
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP470.pdf
vorrätig: 5280

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Anzahl

Spezifikation

IRFP470 Tech -Spezifikationen
IXYS - IRFP470 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IRFP470

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD  
Serie MegaMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP47  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IRFP470.

Produkteigenschaften IRFP470 IRFP460PBF IRFP7430PBF IRFP4710PBF
Artikelnummer IRFP470 IRFP460PBF IRFP7430PBF IRFP4710PBF
Hersteller IXYS Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V 6160 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 460 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Serie MegaMOS™ - HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 20A (Tc) 195A (Tc) 72A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 280W (Tc) 366W (Tc) 190W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 12A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 14mOhm @ 45A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 40 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IRFP47 IRFP460 IRFP7430 -

IRFP470 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP470 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IRFP470 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IRFP Series 27/Feb/2012.pdf
Datenblätter
IRFP470.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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