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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP460LCPBF
IRFP460LCPBF Image
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IRFP460LCPBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFP460LCPBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP460LCPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP460LC, SiHFP460LC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18258

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Spezifikation

IRFP460LCPBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFP460LCPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFP460LCPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 280W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP460  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFP460LCPBF.

Produkteigenschaften IRFP460LCPBF IRFP460BPBF IRFP460 IRFP4568PBF
Artikelnummer IRFP460LCPBF IRFP460BPBF IRFP460 IRFP4568PBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix IXYS Infineon Technologies
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AD TO-247AC
Grundproduktnummer IRFP460 IRFP460 IRFP46 IRFP4568
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 280W (Tc) 278W (Tc) 260W (Tc) 517W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Serie - - MegaMOS™ HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 3094 pF @ 100 V 4200 pF @ 25 V 10470 pF @ 50 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 171A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 227 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 150 V

IRFP460LCPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP460LCPBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFP460LCPBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020.pdf
PCN -Verpackung
Packing Tube Design 19/Sep/2019.pdf
Datenblätter
IRFP460LC, SiHFP460LC.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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