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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFP460PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFP460PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFP460PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFP460PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IRFP460PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4900

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Anzahl

Spezifikation

IRFP460PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFP460PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFP460PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 280W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFP460  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFP460PBF.

Produkteigenschaften IRFP460PBF IRFP460PBF IRFP460LCPBF IRFP460BPBF
Artikelnummer IRFP460PBF IRFP460PBF IRFP460LCPBF IRFP460BPBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 280W (Tc) 280W (Tc) 280W (Tc) 278W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IRFP460 IRFP460 IRFP460 IRFP460
Serie HEXFET® - - -
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3094 pF @ 100 V

IRFP460PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFP460PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFP460PBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Tube Label Chgs 20/May/2020.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 13/Apr/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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