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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH60N25Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH60N25Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH60N25Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH60N25Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 60A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,K,T)60N25Q.pdf
vorrätig: 4410

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Spezifikation

IXFH60N25Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH60N25Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH60N25Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH60N25Q.

Produkteigenschaften IXFH60N25Q IXFH60N65X2 IXFH52N30Q IXFH67N10
Artikelnummer IXFH60N25Q IXFH60N65X2 IXFH52N30Q IXFH67N10
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFH60 IXFH60 IXFH52 IXFH67
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 780W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 500mA, 10V 52mOhm @ 30A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 25mOhm @ 33.5A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 6180 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 650 V 300 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 52A (Tc) 67A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

IXFH60N25Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH60N25Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH60N25Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(H,K,T)60N25Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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