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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH66N20Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH66N20Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH66N20Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH66N20Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 66A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,T)66N20Q.pdf
vorrätig: 4650

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Spezifikation

IXFH66N20Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH66N20Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH66N20Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 33A, 10V  
Verlustleistung (max) 400W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH66  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH66N20Q.

Produkteigenschaften IXFH66N20Q IXFH60N65X2 IXFH6N100Q IXFH70N20Q3
Artikelnummer IXFH66N20Q IXFH60N65X2 IXFH6N100Q IXFH70N20Q3
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 650 V 1000 V 200 V
Grundproduktnummer IXFH66 IXFH60 IXFH6 IXFH70
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4.5V @ 2.5mA 6.5V @ 4mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 400W (Tc) 780W (Tc) 180W (Tc) 690W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 33A, 10V 52mOhm @ 30A, 10V 1.9Ohm @ 3A, 10V 40mOhm @ 35A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc) 60A (Tc) 6A (Tc) 70A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q3 Class
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V 6180 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXFH66N20Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH66N20Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH66N20Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(H,T)66N20Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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