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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH69N30P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH69N30P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH69N30P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH69N30P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 69A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,T)69N30P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4067

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Anzahl

Spezifikation

IXFH69N30P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH69N30P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH69N30P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4960 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 69A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH69  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH69N30P.

Produkteigenschaften IXFH69N30P IXFH60N25Q IXFH74N20P IXFH67N10
Artikelnummer IXFH69N30P IXFH60N25Q IXFH74N20P IXFH67N10
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 360W (Tc) 480W (Tc) 300W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 69A (Tc) 60A (Tc) 74A (Tc) 67A (Tc)
Grundproduktnummer IXFH69 IXFH60 IXFH74 IXFH67
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Box Tube Box Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4960 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V 47mOhm @ 500mA, 10V 34mOhm @ 37A, 10V 25mOhm @ 33.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 250 V 200 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4V @ 4mA 5V @ 4mA 4V @ 4mA
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXFH69N30P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH69N30P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH69N30P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(H,T)69N30P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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