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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFH6N90
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFH6N90 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFH6N90
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFH6N90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(H,M)6N90/100.pdf
vorrätig: 4510

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Anzahl

Spezifikation

IXFH6N90 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFH6N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFH6N90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFH6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFH6N90.

Produkteigenschaften IXFH6N90 IXFH76N07-11 IXFH70N20Q3 IXFH70N15
Artikelnummer IXFH6N90 IXFH76N07-11 IXFH70N20Q3 IXFH70N15
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 76A (Tc) 70A (Tc) 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 3A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V 40mOhm @ 35A, 10V 28mOhm @ 35A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Supplier Device-Gehäuse TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 70 V 200 V 150 V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 360W (Tc) 690W (Tc) 300W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFH6 IXFH76 IXFH70 IXFH70
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA 3.4V @ 4mA 6.5V @ 4mA 4V @ 4mA

IXFH6N90 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFH6N90 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFH6N90 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(H,M)6N90/100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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