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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN26N100P
IXYS
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IXFN26N100P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN26N100P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN26N100P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN26N100P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 598

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Spezifikation

IXFN26N100P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN26N100P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN26N100P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 595W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN26N100P.

Produkteigenschaften IXFN26N100P IXFN260N17T IXFN25N90 IXFN27N80
Artikelnummer IXFN26N100P IXFN260N17T IXFN25N90 IXFN27N80
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Serie HiPerFET™, Polar GigaMOS™ HiPerFET™ HiPerFET™
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 13A, 10V 6.5mOhm @ 60A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 300mOhm @ 13.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 595W (Tc) 1090W (Tc) 600W (Tc) 520W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V, 15V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 245A (Tc) 25A (Tc) 27A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 170 V 900 V 800 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11900 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 9740 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IXFN26 IXFN260 IXFN25 IXFN27
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC

IXFN26N100P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN26N100P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN26N100P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN26N100P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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