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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN280N085
IXYS
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IXFN280N085 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN280N085
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN280N085
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN280N085.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1264

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Anzahl

Spezifikation

IXFN280N085 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN280N085 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN280N085

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 700W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 580 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 280A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN280  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN280N085.

Produkteigenschaften IXFN280N085 IXFN27N80 IXFN260N17T IXFN25N90
Artikelnummer IXFN280N085 IXFN27N80 IXFN260N17T IXFN25N90
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 580 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 700W (Tc) 520W (Tc) 1090W (Tc) 600W (Tc)
Grundproduktnummer IXFN280 IXFN27 IXFN260 IXFN25
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V, 15V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V 9740 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 100A, 10V 300mOhm @ 13.5A, 10V 6.5mOhm @ 60A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 280A (Tc) 27A (Tc) 245A (Tc) 25A (Tc)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ GigaMOS™ HiPerFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V 800 V 170 V 900 V

IXFN280N085 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN280N085 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN280N085 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFN280N085.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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